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加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù),努力搶占科技制高點,為把我國建設(shè)成為世界科技強國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

首頁 > 通知公告

中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所功能晶體與器件全國重點實驗室誠招博士后

發(fā)布時間:2025-06-24 【字體: 】【打印】 【關(guān)閉

功能晶體與器件全國重點實驗室(以下簡稱“實驗室”)依托中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所、福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所聯(lián)合建設(shè),于2025年1月通過科技部評估,納入全國重點實驗室序列。實驗室聚焦國家戰(zhàn)略需求和科學(xué)前沿,重點圍繞功能晶體新理論與新方法、新型功能晶體設(shè)計與原始創(chuàng)制、晶體生長界面結(jié)構(gòu)解析與動態(tài)控制、超大尺寸關(guān)鍵晶體制備技術(shù)、晶體精密加工與高端器件制備、晶體與器件極端服役性能調(diào)控等關(guān)鍵科學(xué)與技術(shù)問題開展科學(xué)研究。

因工作需要,現(xiàn)面向海內(nèi)外公開招聘博士后。

一、招聘研究領(lǐng)域

實驗室圍繞國家需求和重大科技難題,重點確定四大研究方向:

1. 功能晶體創(chuàng)制;

2. 晶體生長理論與裝備;

3. 大尺寸高品質(zhì)晶體生長技術(shù);

4. 精密加工與高端器件制備。

二、應(yīng)聘條件:

1. 已取得或即將取得材料、光學(xué)、物理、化學(xué)或其交叉專業(yè)博士學(xué)位,具有晶體材料與器件研究經(jīng)歷者優(yōu)先考慮;

2. 具有良好的表達(dá)和寫作能力,具備較強的原創(chuàng)探索能力,發(fā)表過較高質(zhì)量學(xué)術(shù)論文;

3. 勤懇踏實,品行端正,具有很強的責(zé)任心、溝通能力和團(tuán)隊合作精神;

4. 身心健康、年齡一般35周歲以下。

三、工作職責(zé):

1. 按計劃完成博士后研究任務(wù);

2. 協(xié)助合作導(dǎo)師完成相關(guān)項目研究;

3. 申請中國博士后科學(xué)基金或其他科研項目,發(fā)表相關(guān)學(xué)術(shù)論文。

四、待遇保障:

申請者一經(jīng)錄用,將享受中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所、功能晶體與器件全國重點實驗室政策規(guī)定的工資及其它福利待遇。

博士后人員的人事、組織關(guān)系、福利待遇、社會保險等,按相關(guān)規(guī)定執(zhí)行,享受博士后人才公寓及科研等方面的獎勵政策,部分待遇如下:

1. 薪酬待遇:保底年薪40萬元+專項獎金+項目獎金+課題組年終獎,年薪最高可達(dá)70萬元以上。其中,專項獎金:獲院長特別獎、院長獎、院優(yōu)博、省部級優(yōu)秀畢業(yè)生等獎勵可申請專項獎金10-20萬元/2年;項目獎金:獲國資計劃A/B/C檔、上海市超博、中國科學(xué)院特別研究助理資助等可申請項目獎金6-40萬元/2年,獲得博士后基金面上/特別項目可申請項目獎金0.2-0.5萬元/項。

2. 福利待遇:基本社會保險、公積金、補充公積金等。

3. 醫(yī)療保障:基本醫(yī)療保險+補充醫(yī)療保險+商業(yè)醫(yī)療保險+年度體檢等。

4. 住房保障:提供多類型的博士后人才公寓。

5. 崗位評聘:應(yīng)屆博士畢業(yè)一般聘為助理研究員二級崗位;在站期間可申請參加崗位競聘,根據(jù)崗位任職條件申請競聘助理研究員一級、副研究員三級崗位。

五、應(yīng)聘方式:

請將應(yīng)聘材料(個人簡歷、學(xué)歷學(xué)位證明、代表性研究成果等)發(fā)送至合作導(dǎo)師郵箱,并同時抄送薛老師xueyanyan@mail.sic.ac.cn,袁老師yuanxiaoyu@mail.sic.ac.cn

合作導(dǎo)師 研究方向 招聘人數(shù) 電話 郵箱
蘇良碧 光功能晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計、制備與應(yīng)用 6 021-69906669 suliangbi@mail.sic.ac.cn
武安華 磁光晶體與器件 021-69987679 huaminkou@mail.sic.ac.cn
寇華敏 晶體缺陷 021-69987679 wuanhua@mail.sic.ac.cn
姜大朋 晶體生長 021-69987679 dajiang@mail.sic.ac.cn
劉學(xué)超 半導(dǎo)體晶體與空間晶體 2 021-69987663 xcliu@mail.sic.ac.cn
潘秀紅 空間晶體 021-69906520 xhpan@mail.sic.ac.cn
吳云濤 閃爍晶體與器件 3 021-69987746 ytwu@mail.sic.ac.cn
袁暉 閃爍晶體與器件 1 021-69987880 hyuan@mail.sic.ac.cn
王東 閃爍晶體與器件 2 021-69906668 wangd@mail.sic.ac.cn
陳俊鋒 閃爍與室溫半導(dǎo)體探測晶體與器件 021-69987813 jfchen@mail.sic.ac.cn
丁棟舟 閃爍晶體與器件 3 021-69906301 dongzhou_ding@mail.sic.ac.cn
朱勇 聲光晶體與器件 1 021-69987889 yongz@mail.sic.ac.cn
張海武 鐵電薄膜晶體與器件 3 021-69163658 zhanghaiwu@mail.sic.ac.cn


地址:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,上海市嘉定區(qū)和碩路585號、588號


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