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近日，國(guó)際電工委員會(huì)納米電工產(chǎn)品與系統(tǒng)技術(shù)委員會(huì)（IEC/TC 113）正式發(fā)布國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC TS 62607-6-23:2025?Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-23: Graphene-related products - Sheet resistance, carrier density, carrier mobility: Hall bar method（納米制造 - 關(guān)鍵控制特性 - 第6-23部分：石墨烯相關(guān)產(chǎn)品 –?方塊電阻，載流子濃度，載流子遷移率：霍爾棒法）。該標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所王浩敏研究團(tuán)隊(duì)牽頭提案并組織編制，國(guó)家納米科學(xué)中心、深圳市標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院、泰州巨納新能源有限公司以及來(lái)自德國(guó)、韓國(guó)、加拿大的專家參與制定工作。

該標(biāo)準(zhǔn)聚焦石墨烯薄膜在電子器件、顯示、通信和可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵性能參數(shù)——載流子遷移率和方塊電阻，針對(duì)當(dāng)前測(cè)量方法不統(tǒng)一、結(jié)果難以比對(duì)的問(wèn)題，首次在國(guó)際上建立了基于霍爾棒法的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)量流程。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了石墨烯霍爾器件的樣品制備、電極制作、保護(hù)層沉積、等離子體刻蝕等關(guān)鍵工藝步驟，提出了適用于低成本、高效率制備的硬掩模工藝，避免使用光刻工藝，顯著降低了設(shè)備門檻。此外，標(biāo)準(zhǔn)中還明確了測(cè)量系統(tǒng)的配置要求、環(huán)境條件、數(shù)據(jù)分析和結(jié)果報(bào)告格式，為石墨烯薄膜在透明導(dǎo)電膜、柔性電極等應(yīng)用中的質(zhì)量控制和產(chǎn)品開發(fā)提供了科學(xué)、可靠的測(cè)量依據(jù)。該標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布將有力促進(jìn)石墨烯薄膜性能評(píng)價(jià)的規(guī)范化和國(guó)際化，推動(dòng)石墨烯材料在高新技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用和高質(zhì)量發(fā)展。

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